
01 августа 2026 г.
Прорыв Kioxia в 3D NAND: анализ перехода к 230 слоям
В июле 2026 года отрасль полупроводниковой памяти фиксирует критическую веху: компания Kioxia начала тестовые поставки чипов BiCS FLASH 9-го поколения. Переход на архитектуру из 230 слоев в сочетании с технологией TLC (Triple-Level Cell) демонстрирует, что индустрия продолжает преодолевать физические барьеры масштабирования 3D NAND, несмотря на растущую сложность литографии. Данный шаг выходит за рамки простого обновления спецификаций; он направлен на фундаментальное снижение стоимости одного гигабайта хранилища, что является главным драйвером рентабельности для операторов облачных дата-центров.
Читать полностью →













